关于晶体中的缺陷，下面哪种说法是正确的？A:空位是在晶体某个位置的可移动的点缺陷 B:滑移是线缺陷的一种主要运动形式 C:晶体硅的层错多发生在（111）面 D:为达到所设计的电学特性可以将杂质硼无限制掺入硅晶体 答案: 空位是在晶体某个位置的可移动的点缺陷; 滑移是线缺陷的一种主要运动形式; 晶体硅的层错多发生在（111）面